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PenrynのHigh-kゲート絶縁膜とメタルゲート

Intel インテルの画期的な High-k ゲート絶縁膜により今後も生き続けるムーアの法則Inquirer Intel does High-K and metal gates
ウィキペディア 電界効果トランジスタ
書くネタが無いので、合っているかは分かりませんがpenrynで使われる次世代技術について書いてみようと思います。
CPUは主にトランジスタで構成されています。
このトランジスタが細微化されることで周波数を上げやすくし、性能が向上いていきました。
しかし、90nm世代にゲート絶縁膜が薄くなりすぎてリーク(漏れ)電流という現象が出ました。このリーク電流は消費電力や発熱を上げる要因になり、Pentium 4/Dがこの影響を特に受けました。
そこでPenryn世代でゲート絶縁膜を今のSiO2(二酸化ケイ素)から新素材High-kに変え、その影響でゲート電極もポリシリコンからメタルゲートに変えたようです。
この結果、リーク電流を今の100分の1にすることに成功し、2年ごとに半導体の集積率が2倍になるというムーアの法則があと10年は延長されるようです。

要約するとこんな感じですかね。
そういえばIntelはこのほかにもトライゲートトランジスタの技術も持っていますね。
Intelは技術面では今後も安心ですね。

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